Корейские ученые сконструировали новую память для хранения данных. Технология TRAM появится в смартфонах, цифровых камерах, биомедицинских устройствах и контактных линзах.
Отправной точкой для разработки TRAM стали особенности работы нашего мозга, который считывает и запоминает информацию посредством огромного числа соединений между нейронами. Исследователи IBS создали уникальную память TRAM по тому же принципу. Два электрода – сток и источник – имитируют 2 нейрона, которые обмениваются информацией.
Главное преимущество TRAM – тонкость и эластичность конструкции. Необходимость в толстом оксидном слое отпадает. Новая память состоит из 3-х кристаллических слоев с толщиной в несколько атомов – 7,5 нм. В ее состав входят силиконовые материалы, которые могут растягивать «хранилище данных». Это уникальное свойство позволяет применять технологию TRAM в имплантируемых устройствах, гибких смартфонах и интеллектуальных контактных линзах.